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IRF6100
Electrical Characteristics @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
Typ. Max. Units Conditions
V (BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
-20
––– ––– V V GS = 0V, I D = -250μA
? V (BR)DSS / ? T J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
–––
-0.010 –––
V/°C Reference to 25°C, I D = -1mA
––– 0.065 V GS = -4.5V, I D = -5.1A ?
––– 0.095 V GS = -2.5V, I D = -4.1A ?
μA
––– 100 V GS = 12V
12 ––– I D = -1.0A
R DS(on)
V GS(th)
g fs
I DSS
I GSS
Q g
Q gs
Q gd
t d(on)
t r
t d(off)
t f
C iss
C oss
C rss
Static Drain-to-Source On-Resistance
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
Drain-to-Source Leakage Current
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
–––
???
-0.45
9.8
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
?
––– -1.2 V V DS = V GS , I D = -250μA
––– ––– S V DS = -10V, I D = -5.1A
––– -1.0 V DS = -20V, V GS = 0V
––– -25 V DS = -16V, V GS = 0V, T J = 125°C
nA
––– -100 V GS = -12V
14 21 I D = -5.1A
1.9 2.9 nC V DS = -16V
5.0 7.5 V GS = -5.0V
12 ––– V DD = -10V
ns
50 ––– R G = 5.8 ?
50 ––– V GS = -4.5V ?
1230 ––– V GS = 0V
250 ––– pF V DS = -15V
180 ––– ? = 1.0MHz, See Fig. 5
Source-Drain Ratings and Characteristics
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I S
I SM
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode) ?
???
???
???
???
-2.2
-33
A
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
G
D
S
V SD
t rr
Q rr
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
–––
–––
–––
–––
48
34
-1.2
72
51
V
ns
nC
T J = 25°C, I S = -2.2A, V GS = 0V ?
T J = 25°C, I F = -2.2A
di/dt = 100A/μs ?
Notes:
? Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature.
? Pulse width ≤ 400μs; duty cycle ≤ 2%.
2
? When mounted on 1 inch square 2oz copper on FR-4.
www.irf.com
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